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石墨爐原子化器構(gòu)成
石墨爐原子化器是由石墨爐體和石墨爐加熱控制電源組成。石墨爐體又由石墨管、石墨錐和帶有水冷卻的電極組成,并可在石墨管內(nèi)、外通有氬氣,而內(nèi)外氣受控于計算機。
石墨管內(nèi)可注入試樣,可實現(xiàn)由室溫升至3000℃。
石墨爐電源加熱程序設(shè)置:
計算機控制的加熱電源程序從室溫升到3000℃可分成四個大步驟,即:干燥階段(又可分成8段)、灰化階段(也可分成8段)、原子化階段、清除階段——其中每一段可以選斜坡,也可以選階躍。但在每一大步驟中至少要選一段。
1 四大步驟選擇的基本原則:
1.1避免試樣暴沸,出氣泡;
1.2防止待測元素在原子化前丟失;
1.3選擇合適的原子化溫度;
1.4降低背景吸收。
2、四大步驟:
2.1“干燥階段”:
目的是使樣品干燥而不丟失。
*溫度的設(shè)定:
設(shè)置原則是干燥的低溫低于氣化溫度的20%——30%,干燥的高溫是高于氣化溫度的20%——30%。
例水溶液為 80℃——120℃ 斜坡
90℃——95℃ 階躍
后者為略低于氣化溫度。
*時間的設(shè)定:
每微升試樣在100℃左右需要2——3秒鐘蒸發(fā)。對于10μl的樣品標準時間30 s。但對含大量共存物質(zhì)的試樣,干燥時間應該60 s為好!
注意:暴沸和冒泡。
2.2“灰化階段”:
目的是去除共存有機物和低沸點無機物——以此來減少原子化階段共存物和煙霧(背景吸收)的干擾。
*灰化溫度的設(shè)定:
范圍:150℃——1500℃
經(jīng)常在 400℃——700℃以下
灰化溫度影響背景吸收,影響原子吸收靈敏度:合適的溫度, 背景吸收可以減小, 靈敏度可以增大;不合適的溫度 , 背景吸收可能增大, 靈敏度可能減小。
*灰化時間的設(shè)定:
灰化時間與試樣體積有關(guān),例如10μl的試樣灰化時間約為30 s。對于水樣通常不用階躍方式,但對于粘性大的試樣應當用斜坡方式可避免暴沸、氣泡和其它不正?,F(xiàn)象。
2.3“原子化階段”:
目的是在這一階段中產(chǎn)生原子化,減少和消除背景:
*選擇原子化溫度要恰到好處:
a 不能太高,太高會使重復性變差(低溫元素);又對石墨爐壽命不利;
b 不能太低,太低使原子化不*,產(chǎn)生記憶,重復性也變差,靈敏度也降低。
*選擇合適的原子化時間:
a 過短,吸收信號回不到基線產(chǎn)生記憶;
b 不能過長,應≤10 s,太長對石墨管壽命有較大的損害(一般為 3—5秒適宜)。
原子化溫度選擇:
一般來說要根據(jù)元素原子化屬于哪一個溫度段來選擇:
a低溫元素:≤2000℃(原子化溫度)例Na ,K, Pb, Cs ,Cu,Ag, Au,Zn,Cd,Hg,Ga, In, Tl ,As, Sb, Bi ,Se, Te, Mg, Mn, I 。
b中溫元素:2000℃~2500℃(原子化溫度)例Li, Sn, Ca, Sr, Rh, Pt, Be, Sm, Eu ,Tm, Yb, S, Cr ,Fe, Co, Ni 。
c高溫元素:≥2500℃(原子化溫度)例Ba, Ru, Ir, V ,Mo, U, Ti, So, Y, La, Ce, Pr, Nd, Gd ,Tb, Dy, Ho ,Er, Lu, Si ,Ge, B, Re, P 。
以上溫度分法不是的!
有時又在元素選原子化溫度時要用“光控大功率升溫”,即就是用比原子化溫度高得多的功率(大功率)升溫,當達到了原子化溫度時,系統(tǒng)回復到普通功率供電方式使石墨爐在原子化溫度上保持熱平衡——這種升溫方式即為“光控大功率升溫”。
光控設(shè)計在1500℃~3000℃有效。
原子化時間選擇:
根據(jù)待測元素的原子化溫度來選擇:
中低熔點元素即原子化溫度低于2600℃的元素原子化的時間3~5 s;
高熔點元素即原子化溫度高于2600℃以上的元素原子化時間4~6 s。
有光控時適當縮短時間,同時降低原子化溫度100—200℃。
* 特例:盡管原子吸收信號回到了基線,但在清除階段仍能出相當高的原子吸收峰。——此時應是石墨錐污染,應空燒多次去除,去不掉時換新的。
* 背景值大時,應通以載氣去除!
* 信號回不到基線(濃度大時),減小注入量,加大載氣流量。
2.4“清除階段”:
目的是清除該未知樣(標樣)一切物(殘存物)。
清除溫度選擇:根據(jù)該樣原子化溫度加100~200℃
清除時間選擇:根據(jù)污染的程度,一般設(shè)定為3~5 s。
*清除階段一定要加載氣,而且載氣應盡量選大些的。